具有高溫陶瓷涂層YSZ-RETaO4的SiC基復合材料及其制備方法

權利要求書(shū)： 1.制備具有高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料的方法，其特征在于：所述高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料包括SiC基體，所述SiC基體上依次設有過(guò)渡層和陶瓷涂層，陶瓷涂層的成分為YSZ(x)?(RETaO4)(1?x)，所述方法包括以下步驟：步驟1：稱(chēng)取氧化鋁、氫氧化鋁、磷酸二氫鋁和氧化鈣，氧化鋁、氫氧化鋁、磷酸二氫鋁和氧化鈣的質(zhì)量比為1～2：3～4：3～4：1～2，與無(wú)水乙醇一起進(jìn)行球磨，混合均勻后干燥后過(guò)篩； 步驟2：通過(guò)步驟1過(guò)篩的粉末將SiC基體包埋在氧化鋁瓷舟中，并進(jìn)行高溫煅燒，煅燒溫度為1100～1800℃，煅燒時(shí)間為10～15h，煅燒在保護氣氛下進(jìn)行，使SiC基體表面形成過(guò)渡層； 步驟3：采用大氣等離子噴涂的方法將YSZ和RETaO4粉末噴涂到過(guò)渡層表面，其中YSZ與RETaO4粉末在噴涂前混合均勻，YSZ與RETaO4的粒徑為40~50μm，YSZ與RETaO4的質(zhì)量比為1～ 2：1～2，形成表面噴涂有YSZ(x)?(RETaO4）(1?x)陶瓷涂層的SiC復合材料；大氣等離子噴涂的工藝參數為：噴涂電流為620～690A，電壓為46～52，涂層的厚度為100 400μm。 ~ 2.根據權利要求1所述的具有高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1中球磨機的轉速為300～500r/min，球磨時(shí)間為480～600min，干燥過(guò)程的溫度為60～80℃，干燥時(shí)間為10～24h，粉末過(guò)300 500目篩。 ~ 說(shuō)明書(shū)： 具有高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及復合材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及具有高溫陶瓷涂層YSZ?RETaO4的SiC基復合材料及其制備方法。 背景技術(shù)[0002] 環(huán)境障礙涂層(Environmentbarriercoating，EBC)能夠解決構件在燃氣環(huán)境中長(cháng)時(shí)間腐蝕和氧化的問(wèn)題，是目前航空發(fā)動(dòng)機材料研究的熱點(diǎn)，隨著(zhù)我國航空航天事業(yè)的 不斷進(jìn)步和發(fā)展，高推重比發(fā)動(dòng)機已成為航空發(fā)動(dòng)機發(fā)展的重點(diǎn)。高推重比發(fā)動(dòng)機的核心 技術(shù)是提高渦輪前進(jìn)口溫度和減小結構質(zhì)量，然而，傳統的高溫合金材料不僅質(zhì)量大，耐溫