1.本發明屬于多晶硅技術領域,具體涉及一種多晶硅的后處理工藝。
背景技術:
2.多晶硅是硅產品產業鏈中的一個非常重要的中間產品,是制造硅拋光片、太陽能電池及高純硅制品的主要原料,也是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。在新能源產業中,儲能產業、分布式光伏產業、生物質能產業均為國家戰略重要組成板塊。隨著我國經濟的大力發展,光伏產業的快速發展對高質量、高效率、大批量的多晶硅料需求將會越來越大。
3.隨著單晶連續拉晶工藝、轉換效率、成本的優化,光伏電池已普遍進入p型單晶質量水準;同時,下游晶硅電池技術逐步往n型單晶和半導體級產品推廣,技術的提升進一步對原料質量需求更加苛刻,產品純度要求更高,金屬、碳、氧、硼、磷等微粒元素對后續產量質量影響更加突出。
4.改良西門子法多晶硅生產工藝對多晶硅處理及其缺點如下所示:
5.(1)現普遍的多晶硅料破碎工藝為人工將硅棒分段投入機械破碎機、破碎成碎塊再經振動篩進行粒徑篩分,按質量標準分為大料、小料分開收集,在人工計量、封口、裝箱、入庫。
6.由于主要采用人機械破碎、人工計量、分選、包裝,導致該過程勞動強度大,對人工素質、體力有較苛刻的要求。并且現有振動篩篩分準確率只有85%左右,無法精準的將大小料分離;同時因多晶硅棒生長過程會有較多外觀呈陰陽面情況,半邊疏松、半邊致密,機械破碎成小塊料后無法分離,導致部分高品質致密料流落到菜花或疏松料中,對產品質量是一種極大浪費,存在難以將硅芯精準分類、分級的問題。
7.(2)硅芯主要采用硅芯爐拉制(采用硅芯爐拉制成初級硅芯再經機加工、清洗后得到成品硅芯),或單晶爐拉制(在單晶爐中拉制成大直徑硅棒,再采用線切割機切割成小直徑方硅芯,再經機加工、清洗后得到成品硅芯)。
8.然而,硅芯爐拉制效率低下,一臺設備產能在8000根/年左右;且在拉制過程極易引入氧、碳等元素。單晶爐:單臺設備產能在14000-16,000根/年;拉制過程存在高溫、高壓風險,并多次發生過坩堝溢流造成設備爆炸的嚴重安全事故。
9.還有硅芯爐拉制原料棒在加工、清洗過程表面會有大量金屬及油污的引入,同時與單晶爐一樣,在拉制、硅芯加工、清洗等過程,會再次引入金屬雜質引入、硅芯表面氧化等負面因素,導致硅芯部分質量與原料質量存在差異。
10.(3)機械破碎過程產生小顆粒硅料、微粉料等,因存在金屬微粒、pu雜質等異物,無法直接用
聲明:
“多晶硅的后處理工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)