本發明公開了一種由二氧化硅制備納米硅的新方法,該方法基于鎂熱還原SiO2是放熱的自發反應的原理,通過在室溫下低轉速球磨引發反應,并利用反應放熱,維持反應自發進行,10min即可基本完成。原料簡單易得,操作步驟非常簡單,具有簡單快捷,產率高,成本低、反應產物純度高、易于放大等優勢,制備出的納米硅顆粒尺寸小,分布均勻,具有多孔結構,可利用在鋰離子電池負極材料,傳感器,光學器件等各個方面,極具工業化應用前景。
聲明:
“由二氧化硅制備納米硅的新方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)