本發明提供了一種用于含有互連金屬的半導體晶片化學機械拋光的化學機械拋光組合物,它包含,作為初始成分的:水;唑類抑制劑;堿金屬有機表面活性劑;水溶助劑;含磷試劑;水溶性纖維素;任選的非糖類水溶性聚合物;任選的化學式I的水溶性酸化合物,其中R選自氫和C1-5烷基,并且其中x是1或2;任選的絡合劑;任選的氧化劑;任選的有機溶劑;以及任選的磨料。另外,還提供了本發明化學機械拋光組合物的制備方法和對基材進行化學機械拋光的方法,包括:提供基材,其中基材是具有銅互連的半導體晶片;提供本發明的化學機械拋光組合物;提供化學機械拋光墊;施加0.69至34.5kPa的向下作用力,使化學機械拋光墊與基材之間界面處產生動態接觸;以及在化學機械拋光墊與基材之間界面處或附近將化學機械拋光組合物分配到化學機械拋光墊上;其中化學機械拋光組合物的pH通過加入磷酸,氫氧化鎂和氫氧化鋰中的至少一種調整至pH為2至6。
聲明:
“穩定的、可濃縮的化學機械拋光組合物及其涉及的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)