一種低電阻層狀結構正交相MoO3?x薄膜的制備方法,包括如下步驟:步驟1:利用真空蒸發法在襯底上形成薄膜;步驟2:將所述薄膜在大氣氣氛中進行第一步熱處理;以及步驟3:將所述薄膜在氮氣氣氛中進行第二步熱處理,完成制備。本發明具有制造工藝簡便等優點;該方法是采用真空蒸發法制膜并加以兩步熱處理,可以獲得既具有層狀結構又具有較低電阻率的α?MoO3?x薄膜材料;該材料可廣泛地應用于雙電層電容器、鋰離子電池、有機光電二極管、薄膜太陽能電池等光電子器件。
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“低電阻層狀結構正交相MoO3-x薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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