本發明公開了一種鍍膜方法及應用,按以下步驟進行:1)襯底以及其晶向的選??;2)使用PLD工藝在襯底上低溫外延一層GaN緩沖層;3)使用MBE工藝外延一層GaN薄膜。本發明集合PLD和MBE的優點,能夠有效抑制Li離子的高溫擴散(襯底的高溫相變)和界面反應。利用PLD進行三維生長,獲得大量的納米島,然后在同一生長室內利用MBE進行二維生長,抑制穿透位錯的傳播,提高薄膜的晶體質量。應用鍍膜方法在鎵酸鋰襯底上外延非極性GaN薄膜。與現有技術相比,本發明具有生長工藝簡單,制備成本低廉的優點,同時本發明制備的GaN薄膜具有缺陷密度低、結晶質量好等特點,可廣泛應用于LED、LD、太陽能電池等領域。
聲明:
“鍍膜方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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