本發明涉及晶體制備技術領域,具體涉及一種硼11?LBO晶體的生長方法及應用,包括以碳酸鋰、硼?11酸為原料,以三氧化鉬、三氧化鎢為助熔劑,將原料及助熔劑裝入鉑金坩堝置于晶體生長爐中,升溫至第一溫度化料,降溫至第二溫度后向熔體中下入籽晶,晶體開始生長,繼續降溫至晶體生長結束,將晶體提離液面降溫至室溫即得。本發明采用氧化鉬?氧化鎢作為助熔劑,得到的熔體粘度小,便于物料流動和傳質,生長制得高質量的硼11?LBO晶體且不易開裂;本發明制得高質量硼11?LBO晶體,可以作為中子探測用晶體材料,解決目前中子散射探測器的需求。
聲明:
“硼11-LBO晶體的生長方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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