本發明公開了一種高電壓單晶三元材料、其制備方法及其應用,通過借助低熔點助熔劑降低晶界熔合能,在低溫下進行預燒得到定向微晶核;定向微晶核與結構穩定劑在高溫下反應實現晶核的定向生長;通過對活性較低的大粒度三元材料前驅體在分散劑和溶劑輔助下球磨成高活性前驅體,增加了前驅體與鋰鹽的反應活性位點;本發明制得的單晶三元正極材料具有較好的粒度均一性,過渡金屬元素在晶粒內分布的較為均勻,并實現了晶粒的定向生長,同時具有較高的壓實密度,在較高的碾壓強度下,極片能夠保持包覆的完整性,避免出現晶界破碎,材料的容量、高低溫循環及倍率性能明顯優于傳統單晶三元正極材料。本發明制備方法簡單,設備通用性強,易于進行規?;a。
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