本發明的課題在于提供離子導入能力優秀的活性物質粒子。本發明的硅系活性物質粒體具有層構造。需要說明的是,此處所說的“硅系活性物質粒體”例如為鋰離子二次電池的負極形成用的活性物質粒體。作為鋰離子二次電池的負極形成用的活性物質粒體,例如為:硅(Si)、或氧化硅(SiOx)、含有鋰(Li)等堿金屬元素或鎂(Mg)等堿土金屬元素的含金屬元素氧化硅、硅合金等,所謂的Si系活性物質。另外,在該活性物質粒體中,層的厚度優選在1μm以下。另外,在此,層的厚度在此優選為0.01μm以上。
聲明:
“硅系活性物質粒體以及硅系活性物質前體粒體和其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)