本發明公開了一種復合單晶壓電襯底薄膜及其制備方法,制備方法包括對拋光、清洗后單晶晶圓采用離子注入法注入He+或者H+時,調控單晶晶圓中心位置與邊緣位置的注入劑量參數和/或溫度參數,得到單晶晶圓注入片;本發明的一種復合單晶壓電襯底薄膜的制備方法簡單易行,退火分離時不需要涂膠加壓或機械分離,能夠避免現有工藝中機械撕裂,劃傷晶片的問題;采用本發明的制備方法所得的晶片缺陷率低,成品率能達到99%以上,而現有技術的成品率一般在80%以下;并且在襯底不斷裂的情況下完整分離鈮酸鋰/鉭酸鋰薄膜的制備工藝,能滿足大規模的工業化生產的需要,具有良好的經濟效益和社會效益。
聲明:
“復合單晶壓電襯底薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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