本發明公開了一種太赫茲輻射源及其制備方法,包含內嵌的周期極化鈮酸鋰芯層(4)和復合微帶線結構,復合微帶線結構自下向上包括硅基底(1)、下層金膜(2)、苯環丁烷(benzocyclobutene?BCB)有機高分子材料包層(3)和兩端側壁金電極(5)及上層金電極(6)。本發明有益效果包括:(1)被束縛在微帶線結構中的太赫茲波,降低了鈮酸鋰材料對太赫茲的吸收,從而實現毫瓦量級太赫茲輻射源,顯著提高光整流產生的太赫茲輻射源輸出功率;(2)復合微帶線結構使得太赫茲波能夠以低損耗系數在該復合結構中不斷產生并傳播;在端面實現更高的輸出太赫茲能量,實際應用中更靈活;可進而發展成為集太赫茲源、波導、檢測為一體的高集成度太赫茲有源器件。
聲明:
“太赫茲輻射源及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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