本發明公開了一種低損耗鈮酸鋰薄膜光波導的制備方法,首先采用LNOI作為初始材料;然后在LN薄膜層的表面鍍一層100nm厚的SiO2膜,并對其進行光刻,制作出條狀結構的2~3μm寬的SiO2掩模;接著把光刻后的樣品在520~550℃下LRVTE處理10~20個小時,得到LRVTE區域,將所述LRVTE區域的單晶LN薄膜制作成光波導;最后去除SiO2掩模,并對樣品的端面進行拋光處理。本發明采用LRVTE技術制作的LN薄膜光波導的芯層晶格結構未受損傷,各項光學指標完好地保留了鈮酸鋰體材料的固有的典型數值,可以實現較低的傳輸損耗低。
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