本發明公開了一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,包括硅襯底層、二氧化硅下包層、鈮酸鋰芯層、第一鉻金屬阻擋層;針對現有的干法刻蝕重新對氟基氣體和氬離子刻蝕環節進行優化,以氟基氣體為主的化學物理作用側重于提高刻蝕效率和增加刻蝕深度,以氬離子為主的物理作用側重于去除前一種刻蝕方法中生成的氟化鋰固體沉積物,兩者相互結合以實現鈮酸鋰薄膜的高效和高質量刻蝕。尤其是對于大膜厚的鈮酸鋰薄膜,在上述刻蝕方法的作用下,也可以起到明顯的作用和效果。因此本發明的刻蝕方法適用于所有膜厚的鈮酸鋰薄膜,具有工藝方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及實施便捷等優點。
聲明:
“鈮酸鋰薄膜刻蝕方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)