本發明提出一種的工藝制備過程,用來制作耐高溫的單晶薄膜鈮酸鋰或鉭酸鋰晶圓。在進行離子注入之后,在晶片和硅襯底旋涂氫倍半硅氧烷聚合物光刻膠,然后在進行晶圓鍵合,通過調整熱退火的溫度、時間以及氣體,使晶片內部形成損傷層膨脹,進而將薄膜剝離,同時將氫倍半硅氧烷聚合物光刻膠變性成為致密的二氧化硅薄膜,之后對單晶鈮酸鋰晶圓另一面進行拋光打磨,得到耐高溫的鈮酸鋰薄膜。利用此工藝制備的鈮酸鋰或鉭酸鋰薄膜晶圓的耐高溫性能將會大大提高,極大拓展了鈮酸鋰或者鉭酸鋰薄膜材料在微納器件領域的應用。
聲明:
“改善鈮酸鋰薄膜晶圓穩定性的工藝方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)