本發明公開了一種鈮酸鋰晶圓的減薄方法,屬于芯片封裝技術領域。本發明的鈮酸鋰晶圓的減薄方法,包括以下步驟:提供一鈮酸鋰晶圓,在鈮酸鋰晶圓的背面貼第一劃片膠膜,并沿鈮酸鋰晶圓正面的切割道進行預切割至預定深度;去除第一劃片膠膜,在鈮酸鋰晶圓的正面貼磨片膠膜,磨片膠膜為雙層膠膜;對鈮酸鋰晶圓的背面進行研磨至晶粒分離;在鈮酸鋰晶圓的背面貼第二劃片膠膜,再去除磨片膠膜。本發明實現了鈮酸鋰晶圓的研磨前切割工藝,避免了現有技術中鈮酸鋰晶圓在磨切加工時易出現脆性破壞、亞表面損傷層深和切割正背面崩裂大等損傷的現象,且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以內,有利于保證鈮酸鋰芯片封裝產品的品質。
聲明:
“鈮酸鋰晶圓的減薄方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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