本發明公開了一種具氧化鋅緩沖層的鋁酸鋰基板結構,其選擇一鋁酸鋰作為基板,并在該鋁酸鋰基板上成長一單晶薄膜的氧化鋅緩沖層,藉此,利用該鋁酸鋰基板上所成長的非極性氧化鋅,及其結構間的相似性,使氧化鋅具同一方向以有效消除量子局限史塔克效應,進而達到晶格匹配并獲得良好的晶體接口質量,以提升發光效率及后續完成的組件性能。另亦可進一步植入異質接面、多重量子井或超晶格等低維結構結合為一光電組件,以提升發光效率。
聲明:
“具氧化鋅緩沖層的鋁酸鋰基板結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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