本發明公開了一種基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法,屬于晶體生長領域。本發明通過在粉料和生長腔室內放置偏向的生長組分導流裝置來調控生長組分流的傳輸方向和輸運組分流密度,優先形成一條狹長的生長中心小面并保持一直處于生長面邊緣位置,從而使得所需單晶直徑內維持均衡的臺階流生長模式,并可完整地維持籽晶的晶型,最終能夠獲得單一晶型高質量的碳化硅晶體。本發明方法制備的高質量碳化硅單晶,可廣泛地應用在新能源電動汽車、機車牽引、工業自動化、不間斷電源、大功率充電樁以及能源互聯網等電力電子領域。
聲明:
“基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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