本發明公開了一種延續單一生長中心制備碳化硅單晶的方法,屬于晶體生長領域。本發明通過選擇具有單一生長中心的碳化硅單晶生長前沿作為下次生長的籽晶,可以有效地避免生長初期出現的多核生長現象,經過多次延續單一生長中心后,碳化硅單晶中的成對反向螺位錯會發生聚并湮滅,從而可以降低單晶中的內部缺陷密度。通過本發明方法,能夠獲得質量越來越好的低缺陷密度碳化硅晶體。本發明制備的碳化硅單晶可以更好地應用在航天、航空、航母等國防軍工領域,也可廣泛地應用在工業自動化、新能源汽車、家電、5G通訊等民用領域。
聲明:
“延續單一生長中心制備碳化硅單晶的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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