本發明涉及一種多層石墨烯的制備方法,包括以下步驟:(1)通過等離子鍍把天然石墨均勻鍍于SiC基體表面,形成石墨烯微片層附于SiC基體;(2)用單面膠帶把石墨烯微片層剝離于SiC基體而形成石墨烯微片層與單面膠帶的復合材料;(3)通過將溫度控制在?40℃至?20℃之間使單面膠帶失去粘性,剝除單面膠帶形成多層石墨烯;極大的提高了生產效率,降低了成本。
聲明:
“多層石墨烯的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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