本發明涉及一種利用二次陽極氧化鋁(AAO)模板法制備Cu?PANI同軸納米線陣列的方法;其同軸納米線直徑為120nm,長度為0.4?2.5μm。利用三電極體系進行控電位沉積;首先將二次陽極氧化鋁膜電極置于含有苯胺和鹽酸的電解液中,控電位沉積PANI納米管,沉積電位為0.7~1.0V,電解液溫度為20~40℃;然后將制備的PANI納米管置于含有CuSO4和Na2SO4的電解液中控電位沉積Cu納米線,沉積電位為?0.3~0.0V,電解液溫度為20~50℃;將制好的材料置于NaOH溶液中溶解AAO模板,洗滌干燥后得到Cu?PANI同軸納米線陣列。該方法制備的復合材料排列整齊、長度可控,操作簡單、易于實現,且得到的材料在電化學傳感器方面有較好的性能。
聲明:
“Cu-PANI同軸納米線陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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