本發明涉及一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列及其制備方法與應用,屬于納米材料技術領域。本發明公開了一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列,所述SiC@C納米線準陣列中SiC的相組成為3C?SiC,殼層的C為PEDOT層經冷凍干燥、碳化后的摻雜硫元素的碳材料。本發明還公開了一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列的制備方法,所述的制備方法包括:將預處理后的碳布覆蓋在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩堝口,在高溫氣氛爐中加熱,冷卻后得沉積SiC準陣列的碳布;將沉積SiC納米線的碳布置于反應真空室,將汽態的EDOT誘導進入反應真空室,汽態的FeCl3引入反應真空室后沉積得SiC@PEDOT納米線準陣列,清洗后經冷凍干燥、碳化得硫摻雜的SiC@C納米線復合材料。
聲明:
“核殼結構的SiC@C納米線準陣列及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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