本發明公開了一種Cu?Ta合金及其制備方法,Cu?Ta合金由以下成分組成,Ta原子百分比1.0~35.0,其余為Cu。制備方法具體步驟如下:步驟1:首先對硅基體表面進行超聲清洗并烘干;步驟2:將基盤送入磁控濺射鍍膜室抽真空;步驟3:采用直流電源共濺射制備Cu?Ta合金;步驟4:待樣品在真空室充分冷卻后退出。本發明能夠避免材料中合金元素分布不均勻的出現,根據成分不同,所得合金為納米晶與非晶的復合材料,有效改善了合金材料的綜合力學性能。
聲明:
“Cu-Ta合金及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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