本發明涉及復合材料制備領域,公開了一種銀納米線/石墨烯復合薄膜的制備方法,包括以下步驟:1)石墨烯薄膜的制備;2)石墨烯薄膜的轉移;3)銀納米線/石墨烯復合薄膜的制備。本發明充分發揮了銀納米線與石墨烯薄膜各自的優勢,使復合薄膜具有高導電性與高透過率的同時保證其表面平整度,其電學性能已媲美ITO薄膜,且其光學透過率卻更優于ITO薄膜,更適合于透明導電電極的應用。同時,本發明很好的減少了工藝流程,大大降低了材料的制備成本,有利于實現大規模工業化生產。
聲明:
“銀納米線/石墨烯復合薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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