本發明公開了一種介孔二氧化硅包覆單壁碳納米管的制備方法。所述方法通過一步法將表面活性劑分子固定在單壁碳納米管表面,以非共價鍵的方式誘導介孔二氧化硅殼層的包覆生長,不僅實現了對介孔二氧化硅殼層厚度的調控,并且可以消除氧化硅自成核現象的發生;此方法還可以在介孔孔壁和殼層外表面修飾不同的功能基團,使復合材料易于分散于各類溶劑中,提高了單壁碳納米管的分散穩定性,同時介孔孔道可用來裝載和傳輸不同的客體分子,具有廣闊的應用前景。
聲明:
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