提供一種等離子體蝕刻方法,其在半導體制造工藝中,可以對掩模材料選擇性地加工由SiO2、SiN之類的單獨的材料、或SiO2、SiN的復合材料形成的膜,而且加工時得到良好的垂直加工形狀。將包含通式(1):Rf1?S?Rf2(1)(式中,Rf1為CxHyFz所示的一價的有機基團,Rf2為CaHbFc所示的一價的有機基團)式(1)所示的具有硫醚骨架的氣體化合物的混合氣體、或將單獨進行等離子體化,對由SiO2、SiN之類的單獨的材料、或復合材料形成的膜進行蝕刻,從而與使用通常的氫氟碳氣體的情況相比,氟原子的含量少,而且包含硫原子的保護膜沉積,從而可以實現改善與掩模材料、其它非蝕刻對象材料的選擇性、降低對側壁的損傷、抑制向橫向的蝕刻等。
聲明:
“使用了包含硫原子的氣體分子的等離子體蝕刻方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)