本發明公開了一種用作太赫茲和紅外光偏振調制的薄膜材料及其制備方法。該薄膜材料具體為:在銻化鎵的基質中嵌入銻化鉺的納米線陣列,納米線陣列的方向與基質表面垂直或者平行,當銻化鉺的體積比濃度為10%時,納米線陣列的方向垂直于基質表面;當銻化鉺的體積比濃度為15?25%時,納米線陣列的方向平行于基質表面,本發明通過分子束外延的方法,獲得在半導體材料中嵌入具有半金屬性質的納米線結構的復合材料,這種材料可用作寬頻的太赫茲和紅外偏振器,并可與基于III-V族半導體材料的太赫茲和紅外光電器件進行集成。
聲明:
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