通過建立諸如碳加強的碳復合材料之類的碳襯底或者其它陶瓷襯底(50)來形成陽極(30)。在陶瓷襯底上電鍍可延展耐熔金屬,以便至少在焦點軌跡部分(36)上形成耐熔金屬碳化物層(52)以及可延展耐熔金屬層(54)。在可延展耐熔金屬層上真空等離子體噴涂高-Z耐熔金屬,以便至少在所述焦點軌跡部分上形成真空等離子體噴涂的高-Z耐熔金屬層(56)。
聲明:
“具有耐熔中間層和VPS焦點軌跡的陽極盤元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)