本發明提供一種應用TSV技術的電子器件及其制作方法,涉及微電子技術領域。本發明提供的應用TSV技術的電子器件包括至少一個半導體襯底,所述半導體襯底上設置有至少一個連接孔,連接孔貫穿半導體襯底,連接孔內填充有導電體,導電體的一端用于與第一電子元件電連接,導電體的另一端用于與第二電子元件電連接,導電體具有第二熔點,導電體由導電復合材料在室溫下自身內部發生反應后形成,導電復合材料為由具有第一熔點的低熔點金屬和熔點在500℃以上的高熔點粉末部分合金化后形成的混合物,第二熔點高于所述第一熔點,且第一熔點在300℃以下。本發明的技術方案能夠簡單快速地應用TSV技術實現不同電子元件的電連接。
聲明:
“應用TSV技術的電子器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)