本發明公開了本發明涉及一種真空電子束鍍膜的方法,屬于鍍膜技術領域。本發明要解決的技術問題是提供一種成本低、無污染、高效率、高質量的鍍厚膜的方法,該方法采用真空電子束鍍膜,包括:將鍍膜金屬置入真空電子束鍍膜裝置中,以鐵基材料為基底材料,將基底材料溫度加熱至400~1200℃,設置電子束功率不小于20KW,控制電子束爐工作腔真空度為10~10?3Pa,進行鍍膜,鍍膜完成,冷卻至不超過300℃,得鍍膜復合材料。本發明方法可獲得鍍膜厚度大、耐腐蝕的鍍膜復合材料,具有低成本、無污染、速度快和高效率的特點。
聲明:
“真空電子束鍍膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)