本實用新型涉及一種基于Cds?SiO2納米復合板的多層電路板,包括復合板層、上導體層、下導體層;復合板層包括上復合材料層、下復合材料層、上散熱層以及下散熱層,上復合材料層包括上聚合物基體、若干上納米管束以及上催化層,上納米管束間隔排列在上聚合物基體中,上催化層設置于上納米管束和上導體層之間,上納米管束的上端均穿過上散熱層與上導電圖形電連接;下復合材料層包括下聚合物基體、若干下納米管束以及下催化層,下納米管束間隔排列在下聚合物基體中,下催化層設置于所有下納米管束和下導體層之間,下納米管束的上端均穿過下散熱層與下導電圖形電連接;上納米管束的下端與對應的下納米管束的上端連接。
聲明:
“基于Cds-SiO2納米復合板的多層電路板” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)