本發明涉及傳感器氣敏材料的制備領域,尤其涉及一種ZnO/Sn3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應用。所述氣敏材料由ZnO納米顆粒和Sn3O4納米花組成;其中,所述Sn3O4納米花由分級的Sn3O4納米片堆疊而成,所述ZnO納米顆粒原位生長在Sn3O4納米片上。本發明提出的通過水熱方法制備的ZnO納米顆粒修飾的分級花狀Sn3O4敏感材料,利用ZnO納米粒子對分級花狀Sn3O4材料進行修飾,合成ZnO/Sn3O4復合材料,通過構建異質結構,可以產生獨特的界面效應和異于其單組份的特殊性能,提高傳感器的性能。復合材料的初始電阻遠大于單一氧化物半導體的電阻,提高了傳感器的響應。
聲明:
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