本發明公開了一種銫錫溴?二硫化鉬復合材料光學特性的仿真方法,使用Materials Studio的Project模塊,分別建立7層銫錫溴表面模型和單層二硫化鉬模型;對7層銫錫溴表面模型和單層二硫化鉬模型進行優化;將優化好的7層銫錫溴表面和單層二硫化鉬模型構建CsBr/MoS2范德華結合的復合模型,計算復合模型的能帶結構,差分電荷密度,分析密立根電荷布局、光吸收和光電導性質,獲得異質結構相對于非異質結構光學特性提升結果,完成仿真。通過仿真將鈣鈦礦CsSnBr3與MoS2復合;改善了CsSnBr3的電子傳輸特性以及光生載流子的分離效率;搭建的CsSnBr3/MoS2范德華異質結復合模型,改善了CsSnBr3的光學特性,為實驗上制備相關器件提供了機理上的解釋。
聲明:
“銫錫溴-二硫化鉬復合材料光學特性的仿真方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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