本發明公開了一種提升石墨烯片?碳納米管陣列復合材料場發射性能的方法,屬于納米材料的制備和應用領域。包括以下制備工藝:(1)利用銀離子轟擊預處理硅單晶片;(2)利用熱化學氣相沉積法制備碳納米管陣列并對其進行高溫退火處理;(3)利用微波等離子體增強化學氣相沉積法在碳納米管陣列上制備薄層石墨烯片;(4)對所得石墨烯片?碳納米管陣列在室溫下進行氮、氫等離子體處理。與現有技術相比,本方法所制備的氮摻雜石墨烯片?碳納米管陣列復合材料具有極低的工作電場、極高的電流密度和在大電流密度下具有良好的場發射穩定性,有很高的應用價值。
聲明:
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