本發明屬于二維MoS2基納米復合材料制備技術領域,涉及一種中空三明治疊層結構二硫化鉬基納米復合材料及其制備方法,其為中空結構,自內向外依次包括碳層、MoS2層和碳層。采用SiO2微球為模板,依次包覆碳層、MoS2層和碳層,然后經刻蝕SiO2后制備出中空三明治疊層結構MoS2基納米復合材料。所得產物其獨特的中空三明治疊層結構,有利于暴露更多的活性位點,提高導電性、減少團聚,提高材料的電催化性能。因此,該復合材料的制備為其在眾多領域的潛在應用提供了可能。
聲明:
“中空三明治疊層結構二硫化鉬基納米復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)