本發明涉及銅銦鋅硫/還原氧化石墨烯納米復合材料在光催化去除氮氧化合物中的應用,屬于半導體納米材料技術領域,其中,CIZS納米結構作為I?III?VI2族和II?VI族的合金化合物半導體具有合適的帶隙,特殊的電子能帶結構,帶隙可調,良好的化學與熱穩定性。同時,rGO能夠有效地分離電子?空穴對,并通過調整該復合材料中rGO的質量分數,以達到調整該復合材料的帶隙以及比表面積,進而提高該復合材料對氮氧化合物的光催化去除作用。因為rGO具有二維蜂窩狀結構,可以增大比表面積,使反應物有更大的反應位點,進而提高了光催化活性。
聲明:
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