本發明涉及SiCf/SiC復合材料的連接方法,具體涉及一種用于SiCf/SiC復合材料連接的涂覆原料及反應擴散連接方法,用于解決現有反應擴散連接技術需要提前預制厚度達到微米級的金屬箔片,以及對連接基材表面的粗糙度要求較高的不足之處。該用于SiCf/SiC復合材料連接的涂覆原料包括碳化鈦粉和硅粉,其在高壓高溫條件下,界面原子相互擴散生成彌散的碳化硅,得到致密的碳化鈦/碳化硅復相陶瓷連接層,減少了孔洞裂紋等缺陷,進而獲得了更高的連接強度。同時,本發明公開一種用于SiCf/SiC復合材料連接的反應擴散連接方法。
聲明:
“用于SiCf/SiC復合材料連接的涂覆原料及反應擴散連接方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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