本發明涉及高分子材料領域,提供了一種抗靜電、抗菌多功能高分子復合材料,包括基體和功能納米材料填充劑,所述基體為高分子材料,所述功能納米材料填充劑為表面修飾的Ag@T?ZnOw,所述表面修飾的Ag@T?ZnOw為經硅烷偶聯劑修飾的Ag@T?ZnOw,所述Ag@T?ZnOw為納米銀和四針狀氧化鋅的功能納米異質結復合材料。該表面修飾的Ag@T?ZnOw和高分子復合材料具有良好抗靜電和抗菌能力。本發明還提供了該復合材料的制備方法,將經過硅烷偶聯劑修飾的無機材料Ag@T?ZnOw和高分子材料開煉或密煉共混,即可制備本發明的復合材料,制備方法簡單,容易操作。通過模壓成型制作樣片進行性能測試。
聲明:
“抗靜電、抗菌多功能高分子復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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