本發明公開了一種原位生長石墨烯增強Cf/SiC復合材料及其制備方法,其特征在于,所述的原位生長石墨烯增強Cf/SiC復合材料由碳纖維預制件、PyC界面層、石墨烯、SiC基體組成;PyC界面層厚度為300?500nm,石墨烯層數為3?5層;通過等離子體增強CVD法在碳纖維預制體內原位生長石墨烯,然后通過CVI工藝對碳纖維預制件進行增密得到原位生長石墨烯增強Cf/SiC復合材料。本發明有效地解決了石墨烯較難在碳纖維預制件內均勻分散易團聚的問題,同時原位生長的石墨烯可顯著提高Cf/SiC復合材料的力學性能。
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