本發明公開了一種多功能中子流屏蔽復合材料的制備方法,中子流在這種氮化硼與硫酸鋇交替層狀分布的多功能中子流屏蔽復合材料中,經聚合物基體的散射耗散一部分中子,氮化硼層層界面間多次散射、吸收,由此實現屏中子流蔽效率的大幅度提高;中子流引發的次級放射在硫酸鋇層層界面間多次散射、衰減,最終以熱量的形式耗散,基于此實現中子流屏蔽復合材料屏蔽中子流次級放射的功能。另外,硫酸鋇的加入對中子流有一定的慢化作用,即是增強了中子流的康普頓散射效應,也就是增加了中子流能量的耗散途徑。因此,中子流的屏蔽效率也會得到提高。通過本發明方法制備的多功能中子流屏蔽復合材料層數、層厚可控,配方可調,防護效率高,力學性能優良,生產方法簡單、性能穩定、易于大規模生產。
聲明:
“多功能中子流屏蔽復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)