本發明屬于納米復合材料技術領域,涉及一種層狀UiO?66/g?C3N4/Ag復合材料的制備方法和應用。本發明先對制備得到g?C3N4進行質子化處理,將質子化g?C3N4和UiO?66復合,得UiO?66/g?C3N4,采用光沉積技術將Ag成功負載到了UiO?66/g?C3N4上形成了一種新型的三元復合材料UiO?66/g?C3N4/Ag,并且使用掃描電子顯微鏡(SEM)等來證明。UiO?66/g?C3N4/Ag復合材料是高效光催化材料,層狀復合材料在吸附,光催化,儲能等不同領域中起著重要作用。本發明將為MOF,g?C3N4和貴金屬半導體結合成層狀納米結構提供重要基準,以改進材料的光催化性能,從而更好地降解有機污染物。
聲明:
“層狀UiO-66/g-C3N4/Ag復合材料的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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