本發明涉及一種含有α?Al2O3涂層的低密度C/C?SiC復合材料坩堝,屬于單晶硅拉制爐用熱場部件技術領域。所述復合材料坩堝包括坩堝本體以及涂覆在坩堝本體內表面的α?Al2O3涂層,坩堝本體是通過化學氣相滲透工藝依次對炭纖維預制體進行熱解炭以及碳化硅增密處理獲得的C/C?SiC復合材料,炭纖維預制體的體積密度為0.5g/cm3~0.7g/cm3,熱解炭增密至1.0g/cm3~1.2g/cm3,碳化硅增密至1.4g/cm3~1.6g/cm3。所述復合材料坩堝既具有支撐作用又可保證熔融硅純度,避免使用石英坩堝,而且復合材料坩堝使用壽命顯著提高,有效降低單晶硅拉制成本,解決了現有技術中必須同時使用石英坩堝和炭/炭復合材料坩堝拉制單晶硅所帶來的問題。
聲明:
“含有α-Al2O3涂層的低密度C/C-SiC復合材料坩堝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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