本發明提供了一種Cu/SiO2復合材料的制備方法,包括以下步驟:將銅鹽、納米二氧化硅、還原劑和保護劑進行水熱反應,得到Cu/SiO2復合材料。本申請還提供了一種利用Cu/SiO2復合材料制備銅?陶瓷基板的方法,包括以下步驟:將Cu/SiO2復合材料與有機溶劑混合,得到納米銅膏;將所述納米銅膏印刷于陶瓷基板表面,再進行燒結,最后依次進行光刻、顯影和電鍍,得到銅?陶瓷基板。本申請制備銅?陶瓷基板的過程中,由于Cu/SiO2復合材料的納米尺寸效應與其中的納米SiO2可與陶瓷基板中的三氧化二鋁、氮化鋁反應,從而可在較低的燒結溫度下實現銅?陶瓷間的高強度鍵合。
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“Cu/SiO2復合材料、其制備方法與銅?陶瓷基板的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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