本發明提供一種三維存儲器結構及其制備方法,制備方法包括:提供半導體襯底;于半導體襯底上形成疊層結構,于疊層結構中形成溝道孔及柵極隔槽,于半導體襯底內形成源極區域;于柵極隔槽的內壁上形成外層及內芯。本發明將所述柵極隔槽填充為至少包括外層和內芯的結構,可以通過內芯的填充實現器件整體應力、電阻、漏電等情況的改善,在柵極隔槽中制備柵極隔槽腔,緩解器件結構的應力,可以減小器件電阻;將三維存儲器的柵極隔槽制備成包括至少兩個子柵極隔槽上下連通設置的結構,單個子柵極隔槽的制備易于控制,可以減小其關鍵尺寸,增加溝道孔與柵極隔槽之間的距離,可以增加后續柵極層的長度,減小柵極層的電阻,提高器件速度,優化器件性能。
聲明:
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