本發明公開了一種減小電荷共享效應的CMOS器件及其制備方法。本發明的CMOS器件在隔離區的正下方設置俘獲載流子的附加隔離區。該附加隔離區的材料為多孔硅等,由于多孔硅是一種通過電化學陽極氧化單晶硅片形成的海綿狀結構的功能材料,多孔硅的表面層內存在大量的微孔和懸掛鍵。這些缺陷會在多孔硅的禁帶中央形成缺陷態,缺陷態可俘獲載流子,導致電阻增大,且隨著腐蝕電流密度的增大,孔隙率增大,多孔硅中的缺陷增多。本發明中利用多孔硅中缺陷態俘獲載流子的特性可減小重離子引起的電荷共享效應,淺溝道隔離STI區和下方隔離區的形成只需要一次光刻,工藝簡單,且可以極大地提高集成電路的抗輻射性能。
聲明:
“減小電荷共享效應的CMOS器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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