調控氧化鋅的電子遷移率的方法

本申請涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種調控氧化鋅的電子遷移率的方法。所述調控氧化鋅的電子遷移率的方法，包括以下步驟：制備氧化鋅，且在制備所述氧化鋅的過(guò)程中，通過(guò)控制所述氧化鋅的表面羥基量，來(lái)調控氧化鋅的電子遷移率。本申請提供的調控氧化鋅的電子遷移率的方法，只需要通過(guò)調控氧化表面羥基量即可實(shí)現量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的載流子注入平衡或提高電子遷移率，無(wú)需改變器件結構(插入電子阻擋層)，也無(wú)需通過(guò)摻雜等手段對氧化鋅薄膜進(jìn)行改性，整個(gè)過(guò)程操作簡(jiǎn)單，成本低廉，具有良好的可重復性。