本申請涉及功能材料技術領域,提供了一種調控氧化鋅的電子遷移率的方法。所述調控氧化鋅的電子遷移率的方法,包括以下步驟:制備氧化鋅,且在制備所述氧化鋅的過程中,通過控制所述氧化鋅的表面羥基量,來調控氧化鋅的電子遷移率。本申請提供的調控氧化鋅的電子遷移率的方法,只需要通過調控氧化表面羥基量即可實現量子點發光二極管器件的載流子注入平衡或提高電子遷移率,無需改變器件結構(插入電子阻擋層),也無需通過摻雜等手段對氧化鋅薄膜進行改性,整個過程操作簡單,成本低廉,具有良好的可重復性。
聲明:
“調控氧化鋅的電子遷移率的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)