本發明公開了一種寬量程隧道磁電阻傳感器,依次由反鐵磁層、鐵磁釘扎層、勢壘絕緣層、鐵磁自由層和非磁金屬層疊加組成,利用電流在具有高自旋軌道力矩效應的功能材料(W,Ta,Pt,CuBi等)電極層中產生自旋流,注入到磁隧道結中的自由層中對其產生偏置磁場,從而改變TMR磁阻傳感器的工作范圍,由于這類偏置磁場的大小和方向可以方便地通過外加電流的大小和方向進行精確控制,所以TMR磁阻傳感器的工作范圍也可以根據實際需求進行實時的調節,解決TMR磁阻傳感器工作范圍小的問題。
聲明:
“寬量程隧道磁電阻傳感器及惠斯通半橋” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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