本發明提出了一種基于鹵化亞錫的阻變存儲器及其制備方法,其具體結構為三明治結構,用FTO、或ITO、或ZTO作為基片和底電極,鹵化亞錫薄膜作為阻變層,Pt、Au、W作為頂電極。本發明采用了一種新型的阻變功能材料鹵化亞錫,它具有成分簡單、易于成膜、性能穩定的特點。以鹵化亞錫作為阻變層制備的阻變存儲器單元,具有高低阻態比值窗口大、電學性能穩定、制備工藝簡單、成本低廉、安全可靠,同時無環境污染的特點。具有良好的循環耐受性,在多次重復擦寫之后仍然具有良好的阻變性能。本發明具有較好的發展潛力和應用價值。
聲明:
“基于鹵化亞錫的阻變存儲器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)