本發明公開了一種摻硼金剛石刻蝕的方法,涉及新型電子材料工藝技術,采用超高真空磁控濺射鍍膜機和直流電弧等離子體噴射CVD設備制備,首先采用磁控濺射法濺射鎳納米顆粒,在以鎳納米顆粒作為催化劑等離子刻蝕摻硼金剛石,制得目標產品。本發明的優點是:該多孔金剛石比較容易被加工成型,在新型電子功能材料走向實際應用的過程中,有非常關鍵的作用;該制備方法工藝簡單,易于實施,靶材使用率高、生產成本低,適于大規模的推廣應用。
聲明:
“摻硼金剛石刻蝕的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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