一種各向異性磁電阻坡莫合金薄膜的制備方法, 涉及功能材料薄膜的制備,特別是涉及制備磁電阻薄膜。本方 法是在清洗干凈的玻璃基片上或單晶硅基片上沉積鎳鐵Ni0.81Fe0.19薄膜,將(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x層作為種子層,x值介于0.13~0.53之間;沉積的順序依次是1.0~12.0nm厚度的鎳鐵鉻(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x、10.0~200.0nm厚度的鎳鐵Ni0.81Fe0.19和5.0~9.0nm鉭Ta。本發明由于采用體心結構的NiFeCr作為坡莫合金薄膜的一種新型種子層,其各向異性磁電阻AMR值比以傳統的Ta為種子層時明顯提高,最大可達34%,具有制備方便、不需要高溫沉積和磁場熱處理、成本低等優點。
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