MgxZn1-xO薄膜的雙靶射頻磁控共濺射制備方法屬于光電功能材料制造技術領域。已知技術需要根據所需制備的MgxZn1-xO薄膜的不同,分別制作對應x值的MgxZn1-xO陶瓷靶材,制作工作量大,靶材不一定完全消耗,產生浪費,所制備的MgxZn1-xO薄膜化學計量比偏離MgxZn1-xO陶瓷靶材的化學計量比。本發明采用雙靶共濺射制備方式,即在兩個濺射靶上分別固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材,分別提供濺射功率,同時分別濺射,在襯底上生長MgxZn1-xO薄膜。本發明可應用于制備具有紫外探測、可見及紫外光發射作用的半導體光電功能材料MgxZn1-xO薄膜。
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